HGTG30N60A4D

HGTG30N60A4D
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: HGTG30N60A4D
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V N-Channel IGBT SMPS Series
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация: 9306055.pdf
Детальное описание компонента HGTG30N60A4D
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.8 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 75 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 250 nA
Рассеяние мощности 463 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-247-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 75 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 150
Другие названия товара № HGTG30N60A4D_NL

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
TD62084AFNG(5,S) TD62084AFNG(5,S) Toshiba Transistors Darlington 8CH. 50V/.5A IFD IC ---
SP3222EUET-L/TR SP3222EUET-L/TR Exar Функции универсальной шины 1MBPS 3-5.5V RS-232 2-DRV/2-RCV LOW PWR 5658482.pdf
MAX334EWE+ MAX334EWE+ --- Коммутационные микросхемы ---
BU-4061-N-39-6 BU-4061-N-39-6 --- Комплектующие для испытательного оборудования ---
1825469-1 1825469-1 --- Переключатели ---