HGT1S10N120BNST

HGT1S10N120BNST
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: HGT1S10N120BNST
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Channel IGBT NPT Series 1200V
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация: 9305947.pdf
Детальное описание компонента HGT1S10N120BNST
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.7 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 35 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 250 nA
Рассеяние мощности 298 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-263AB-3 Упаковка Reel
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 35 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа SMD/SMT Размер фабричной упаковки 800

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
RSNXP256-ENV RSNXP256-ENV Code Red Technologies Программное обеспечение для разработки RED SUITE LICENSE 256K NXP EDITION ---
SN74HCT574DWRG4 SN74HCT574DWRG4 Texas Instruments Flip Flops Octal Edge Trigred DType FlipFlop 4746503.pdf
MPC8572EVTAULE MPC8572EVTAULE Freescale Semiconductor Микропроцессоры (MPU) 38H R211 Enc NoPb 1333 ---
MAX6440UTOQTD3+T MAX6440UTOQTD3+T --- Схемы управления питанием ---
SSF-LXH524SRD SSF-LXH524SRD --- Светодиодная индикация ---