HGT1S10N120BNST

HGT1S10N120BNST
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: HGT1S10N120BNST
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Channel IGBT NPT Series 1200V
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация: 9305947.pdf
Детальное описание компонента HGT1S10N120BNST
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.7 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 35 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 250 nA
Рассеяние мощности 298 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-263AB-3 Упаковка Reel
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 35 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа SMD/SMT Размер фабричной упаковки 800

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MAX9791CETI+ MAX9791CETI+ Maxim Integrated Products Усилители звука Windows Vista Class D Speaker Amp 3500366.pdf
WM8751LSEFL WM8751LSEFL Wolfson Microelectronics ИС ЦАП для аудиосигналов Stereo DAC with H/P Spr 5889716.pdf
FM24C08UFLM8 FM24C08UFLM8 --- Микросхемы памяти ---
FLX 442 RTP 08 FLX 442 RTP 08 --- Светодиодная индикация ---
H11AA1TM H11AA1TM --- Оптопары и оптроны ---