HGTG11N120CND

HGTG11N120CND
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: HGTG11N120CND
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 43A 1200V NCh w/Anti Parallel Hyprfst Dde
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация: 9305792.pdf
Детальное описание компонента HGTG11N120CND
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.1 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 43 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 250 nA
Рассеяние мощности 298 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-247-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 43 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 150
Другие названия товара № HGTG11N120CND_NL

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
IKD04N60R IKD04N60R Infineon Technologies Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V Trenchstop RC Hard SW App, IGBT ---
NC7SP04P5X_NL NC7SP04P5X_NL Fairchild Semiconductor Инвертеры FINISHED GOOD 1425776.pdf
74ALVCH16271DLG4 74ALVCH16271DLG4 Texas Instruments Функции универсальной шины 12 To 24-Bit Mltplxd Bus Exchg W/3-St Otp 5700872.pdf
AT17LV128-10CI AT17LV128-10CI --- Микросхемы памяти ---
CY7C1041CV33-12ZSXE CY7C1041CV33-12ZSXE --- Микросхемы памяти ---