HGTG11N120CND

HGTG11N120CND
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: HGTG11N120CND
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 43A 1200V NCh w/Anti Parallel Hyprfst Dde
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация: 9305792.pdf
Детальное описание компонента HGTG11N120CND
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.1 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 43 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 250 nA
Рассеяние мощности 298 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-247-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 43 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 150
Другие названия товара № HGTG11N120CND_NL

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
HSC2-8SR-1(03) HSC2-8SR-1(03) Hirose Connector Волоконно-оптические соединители FO CONN 8 POS/SHROUD SIMP REC TO SC2 5726849.pdf
RGP10JHE3/53 RGP10JHE3/53 Vishay Semiconductors Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) 1.0A 600 Volt 250ns 3807950.pdf
AFBR-5701LZ AFBR-5701LZ Avago Technologies Волоконно-оптические передатчики, приемники, трансиверы Transceiver ---
MAX1649EPA MAX1649EPA --- Схемы управления питанием ---
DA1-B0-34-425-121-D DA1-B0-34-425-121-D --- Автоматические выключатели ---