HGTG11N120CND

HGTG11N120CND
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: HGTG11N120CND
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 43A 1200V NCh w/Anti Parallel Hyprfst Dde
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация: 9305792.pdf
Детальное описание компонента HGTG11N120CND
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.1 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 43 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 250 nA
Рассеяние мощности 298 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-247-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 43 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 150
Другие названия товара № HGTG11N120CND_NL

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
DS2711ZB+ DS2711ZB+ --- Схемы управления питанием ---
UWZ1V331MCL1GS UWZ1V331MCL1GS --- Конденсаторы ---
ILBB0805ER121V ILBB0805ER121V --- ЭМП и РЧП ---
5434476 5434476 --- Клеммные колодки ---
HL2-H-AC100V HL2-H-AC100V --- Реле и модули ввода и вывода ---