STGW60H65F
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | STGW60H65F | ||
| Описание: | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 60A 650V FST IGBT Very High Switching | ||
| Производитель: | STMicroelectronics | ||
| Спецификация: | 9305002.pdf | ||
| Детальное описание компонента STGW60H65F | |||
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.9 V | Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
|---|---|---|---|
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 120 A | Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
| Рассеяние мощности | 360 W | Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка / блок | TO-247 | Упаковка | Tube |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C | Вид монтажа | Through Hole |
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
dsPIC33FJ256GP510AT-I/PF | Microchip Technology | Обработчики и контроллеры цифровых сигналов (DSP, DSC) 16Bit 40MIPS 256KB Flash | 6046543.pdf |
|
|
|
|
93LC56X-I/SN | --- | Микросхемы памяти | --- |
|
|
|
|
AT24C02-10PC-2.7 | --- | Микросхемы памяти | --- |
|
|
|
|
MAX2827ETN-D | --- | RF Semiconductors | --- |
|
|
|
|
MX6AWT-A1-0000-0008Z7 | --- | Светодиоды высокой мощности | --- |
|