STGW30NC60WD

STGW30NC60WD
Кол-во:
Заказать
На складе
Название: STGW30NC60WD
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PowerMESH" IGBT
Производитель: STMicroelectronics
Спецификация: 9304832.pdf9304843.pdf
Цены: Розн.2$
Детальное описание компонента STGW30NC60WD
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.1 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA Рассеяние мощности 200 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок TO-247-3
Упаковка Tube Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 60 A
Минимальная рабочая температура - 55 C Вид монтажа Through Hole
Размер фабричной упаковки 600

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
DRA2123Y0L DRA2123Y0L Panasonic Semiconductors Transistors Switching (Resistor Biased) TRANS W/ BLT-IN RES GL WNG 2.9x2.8mm 9491032.pdf
DDTC113TKA-7-F DDTC113TKA-7-F Diodes Inc. Transistors Switching (Resistor Biased) 200MW 1K 9536293.pdf
DS14C88MX/NOPB DS14C88MX/NOPB National Semiconductor (TI) Шинные ресиверы 6316872.pdf
DS1350YP-C01 DS1350YP-C01 --- Микросхемы памяти ---
HDSP-N403 HDSP-N403 --- Светодиодные дисплеи ---