GT15Q102(Q)

GT15Q102(Q)
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: GT15Q102(Q)
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V/15A DIS
Производитель: Toshiba
Спецификация:
Детальное описание компонента GT15Q102(Q)
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V Непрерывный коллекторный ток при 25 C 15 A
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок TO-3P
Упаковка Bulk Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 15 A
Минимальная рабочая температура - 55 C Вид монтажа Through Hole
Размер фабричной упаковки 50

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MAX487ECUA MAX487ECUA Maxim Integrated Products ИС интерфейса RS-422/RS-485 5989068.pdf
74LVC2GU04GW,125 74LVC2GU04GW,125 NXP Semiconductors Инвертеры 3.3V DUAL INVERTER 5141595.pdf
LM317MABDTG LM317MABDTG --- Схемы управления питанием ---
T530X157M016ATE015 T530X157M016ATE015 --- Конденсаторы ---
07790000110 07790000110 --- Соединители для ввода и вывода ---