GT15Q102(Q)

GT15Q102(Q)
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: GT15Q102(Q)
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V/15A DIS
Производитель: Toshiba
Спецификация:
Детальное описание компонента GT15Q102(Q)
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V Непрерывный коллекторный ток при 25 C 15 A
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок TO-3P
Упаковка Bulk Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 15 A
Минимальная рабочая температура - 55 C Вид монтажа Through Hole
Размер фабричной упаковки 50

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
HTZ150C8K HTZ150C8K Ixys Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) 3 Amps 8400V ---
74HCT299D,652 74HCT299D,652 NXP Semiconductors Регистры сдвига счетчика 8-BIT UNIVERSAL SHFT 2171095.pdf
SN74AS1008ADE4 SN74AS1008ADE4 Texas Instruments Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) Quad 2-Input Pos-AND Buffers/Drivers 7953572.pdf
NCP3420DR2G NCP3420DR2G --- Схемы управления питанием ---
66682-2 66682-2 --- Субминиатюрные соединители ---