GT15J321(Q)

GT15J321(Q)
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: GT15J321(Q)
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V/15A DIS+FRD
Производитель: Toshiba
Спецификация:
Детальное описание компонента GT15J321(Q)
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V Непрерывный коллекторный ток при 25 C 15 A
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок TO-220 NIS
Упаковка Bulk Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 15 A
Минимальная рабочая температура - 55 C Вид монтажа Through Hole
Размер фабричной упаковки 50

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
STM3240GPRIMER STM3240GPRIMER STMicroelectronics Макетные платы и комплекты - ARM STM32 Complete Dev STM8 Primer Kit 9761373.pdf
MRF6S21140HR3 MRF6S21140HR3 Freescale Semiconductor РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала HV6 LDMOS 30W NI880H ---
MAX5353ACUA+ MAX5353ACUA+ Maxim Integrated Products ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) 12-Bit Precision DAC 1265077.pdf
MCZ34701EW MCZ34701EW --- Схемы управления питанием ---
S-80139CLPF-JIYTFG S-80139CLPF-JIYTFG --- Схемы управления питанием ---