GT25Q301(Q)

GT25Q301(Q)
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: GT25Q301(Q)
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) High Power Motor N Channel IGBT 2.7V
Производитель: Toshiba
Спецификация:
Детальное описание компонента GT25Q301(Q)
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V Непрерывный коллекторный ток при 25 C 25 A
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок TO-3P
Упаковка Bulk Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 25 A
Минимальная рабочая температура - 55 C Вид монтажа Through Hole
Размер фабричной упаковки 100

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
NMTG-S32240JMNHSCW-08 NMTG-S32240JMNHSCW-08 Microtips Technology Графические дисплейные ЖК-модули и принадлежности Dark Transmissive With Touch Screen ---
74ABT273ADB-T 74ABT273ADB-T NXP Semiconductors Триггеры OCTAL D-TYPE 7877713.pdf
SN74AUP1G02DRLRG4 SN74AUP1G02DRLRG4 Texas Instruments Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) Lo PWR SNGL 2Input Pos NOR Gate 7966585.pdf
DS1230Y-85+ DS1230Y-85+ --- Микросхемы памяти ---
CG66.5101.151 CG66.5101.151 --- Модули подачи питания ---