SGS13N60UFDTU

SGS13N60UFDTU
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: SGS13N60UFDTU
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V/6.5A/w/FRD
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента SGS13N60UFDTU
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.1 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 13 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 100 nA
Рассеяние мощности 45 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-220F-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 13 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 50
Другие названия товара № SGS13N60UFDTU_NL

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
FF600R12IS4F FF600R12IS4F Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 600A ---
NJM2178L NJM2178L NJR Усилители звука SRS 3D Stereo & Mono ---
MC74HC574AN MC74HC574AN ON Semiconductor Триггеры 2-6V CMOS Octal ---
TL4051B12QDCKRG4 TL4051B12QDCKRG4 --- Схемы управления питанием ---
ME-AAA-010 ME-AAA-010 --- Панельные измерительные приборы ---