SGR6N60UFTM

SGR6N60UFTM
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: SGR6N60UFTM
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Dis High Perf IGBT
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация: 9303514.pdf
Детальное описание компонента SGR6N60UFTM
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.1 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 6 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 100 nA
Рассеяние мощности 30 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок DPAK-3 Упаковка Reel
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 6 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа SMD/SMT Размер фабричной упаковки 2500
Другие названия товара № SGR6N60UFTM_NL

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
OM13035,598 OM13035,598 NXP Semiconductors Макетные платы и комплекты - ARM LPCXpresso board for LPC1115 9758140.pdf
10D2-11LC 10D2-11LC --- Термисторы – отрицательный температурный коэффициент ---
E3Z-R81 5M E3Z-R81 5M --- Оптические детекторы и датчики ---
MA29820JAN MA29820JAN --- Конденсаторы ---
FN7512-63-M6 FN7512-63-M6 --- ЭМП и РЧП ---