SGP13N60UFDTU

SGP13N60UFDTU
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: SGP13N60UFDTU
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Dis High Perf IGBT
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация: 9303074.pdf
Детальное описание компонента SGP13N60UFDTU
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.1 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 13 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 100 nA
Рассеяние мощности 60 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-220-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 13 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 50
Другие названия товара № SGP13N60UFDTU_NL

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
ISO722XEVM ISO722XEVM Texas Instruments Interface Development Tools ISO722X EVM Bench ---
DB63 DB63 Cirrus Logic Средства разработки интегральных схем (ИС) управления питанием SA57-IHZ Demo Board ---
93C76AT-E/SN 93C76AT-E/SN --- Микросхемы памяти ---
SST39WF800B-70-4I-B3KE-T SST39WF800B-70-4I-B3KE-T --- Микросхемы памяти ---
LCMXO2280E-5TN144C LCMXO2280E-5TN144C --- Программируемые логические интегральные схемы ---