SGP13N60UFDTU

SGP13N60UFDTU
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: SGP13N60UFDTU
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Dis High Perf IGBT
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация: 9303074.pdf
Детальное описание компонента SGP13N60UFDTU
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.1 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 13 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 100 nA
Рассеяние мощности 60 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-220-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 13 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 50
Другие названия товара № SGP13N60UFDTU_NL

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
VWO95-12io7 VWO95-12io7 Ixys Дискретные полупроводниковые модули 95 Amps 1200V ---
MCP4351-502E/ML MCP4351-502E/ML Microchip Technology ИС, цифровые потенциометры 5k SPI 8-bit Quad Channel ---
SN65LVDS3486DG4 SN65LVDS3486DG4 Texas Instruments ИС интерфейса LVDS 4Chl Rec 7776862.pdf
CAT93HC46SI CAT93HC46SI --- Микросхемы памяти ---
DC100D40 DC100D40 --- Оптопары и оптроны ---