HGTG18N120BN

HGTG18N120BN
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: HGTG18N120BN
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 54A 1200V N-Ch
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента HGTG18N120BN
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.45 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 54 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 250 nA
Рассеяние мощности 390 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-247-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 54 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 150
Другие названия товара № HGTG18N120BN_NL

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
BTA25-800BW BTA25-800BW STMicroelectronics Триаки 25 Amp 800 Volt 241323.pdf
MAX5302CUA-T MAX5302CUA-T Maxim Integrated Products ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) 3962384.pdf
XR3171EID-F XR3171EID-F Exar ИС интерфейса RS-422/RS-485 Full Duplex RS-422/ RS-485 Transceiver 6022886.pdf
74LVQ373QSC 74LVQ373QSC Fairchild Semiconductor Защелки Octal Trans Latch ---
S-8353H36UA-IWVT2G S-8353H36UA-IWVT2G --- Схемы управления питанием ---