HGTG18N120BN

HGTG18N120BN
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: HGTG18N120BN
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 54A 1200V N-Ch
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента HGTG18N120BN
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.45 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 54 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 250 nA
Рассеяние мощности 390 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-247-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 54 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 150
Другие названия товара № HGTG18N120BN_NL

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
RL-16A0-0524 RL-16A0-0524 Lighting Science Group Светодиодные электролампы LED RED 621NM 12VDC 6.6W 4523131.pdf
OPF500 OPF500 Optek Волоконно-оптические передатчики, приемники, трансиверы Fiber Optic Receiver 200 kbps 6109746.pdf
CD74HC4016PWR CD74HC4016PWR --- Коммутационные микросхемы ---
HSMN-A400-R8PM2 HSMN-A400-R8PM2 --- Светодиодная индикация ---
RTEN-5006 RTEN-5006 --- Фильтры цепи питания ---