HGTG18N120BN

HGTG18N120BN
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: HGTG18N120BN
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 54A 1200V N-Ch
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента HGTG18N120BN
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.45 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 54 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 250 nA
Рассеяние мощности 390 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-247-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 54 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 150
Другие названия товара № HGTG18N120BN_NL

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
U4083B-MFPG3Y19 U4083B-MFPG3Y19 Atmel Усилители звука Com. Corded Audio Amp. 4188202.pdf
CAT93C86SA CAT93C86SA --- Микросхемы памяти ---
CY7C1297H-133AXC CY7C1297H-133AXC --- Микросхемы памяти ---
BQ2057TSN BQ2057TSN --- Схемы управления питанием ---
TS78M05CP TS78M05CP --- Схемы управления питанием ---