STGB3NC120HDT4

STGB3NC120HDT4
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: STGB3NC120HDT4
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 7A PowerMESH Ultrafast
Производитель: STMicroelectronics
Спецификация: 9299052.pdf
Детальное описание компонента STGB3NC120HDT4
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.3 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V Непрерывный коллекторный ток при 25 C 14 A
Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA Рассеяние мощности 75 W
Упаковка / блок D2PAK Упаковка Reel
Вид монтажа SMD/SMT

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
TD62081AFG(5) TD62081AFG(5) Toshiba Transistors Darlington 8CH. 50V/.5A IFD IC ---
MAX11811GTP/V+ MAX11811GTP/V+ Maxim Integrated Products Преобразователи и контроллеры для сенсорных экранов I2C 4Ch Touch Screen ERM/LRA Haptic 4339875.pdf4339894.pdf
SPL MY81G2 SPL MY81G2 --- Лазеры ---
SSL-LX509F3AD SSL-LX509F3AD --- Светодиодная индикация ---
564RC0GAA302EP121J 564RC0GAA302EP121J --- Конденсаторы ---