HGTG12N60C3D

HGTG12N60C3D
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: HGTG12N60C3D
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 24a 600V IGBT UFS N-Channel
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация: 9298748.pdf
Детальное описание компонента HGTG12N60C3D
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.65 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 24 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 100 nA
Рассеяние мощности 104 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-247-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 24 A Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 150
Другие названия товара № HGTG12N60C3D_NL

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
NE3514S02-A NE3514S02-A CEL РЧ транзисторы на арсениде галлия K Band Super Low Noise Amp N-Ch 5396706.pdf5396709.pdf
DS1706SEUA DS1706SEUA --- Схемы управления питанием ---
LFEC33E-4F672I LFEC33E-4F672I --- Программируемые логические интегральные схемы ---
GNF1R200 GNF1R200 --- Конденсаторы ---
PSM4-152M-20B PSM4-152M-20B --- ЭМП и РЧП ---