HGTG12N60C3D

HGTG12N60C3D
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: HGTG12N60C3D
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 24a 600V IGBT UFS N-Channel
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация: 9298748.pdf
Детальное описание компонента HGTG12N60C3D
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.65 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 24 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 100 nA
Рассеяние мощности 104 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-247-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 24 A Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 150
Другие названия товара № HGTG12N60C3D_NL

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
IRG4RC10UDTRP IRG4RC10UDTRP International Rectifier Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 4688500.pdf
BU3076HFV-TR BU3076HFV-TR ROHM Semiconductor Тактовые генераторы и продукция для поддержки HI-PERF CLCK GEN SER 6361518.pdf
DS21554LN DS21554LN Maxim Integrated Products ИС, сетевые контроллеры и процессоры 3.3/5V E1 Transceiver 9592606.pdf
M29W400DB55N6E M29W400DB55N6E --- Микросхемы памяти ---
MAX6442KAOTZD3-T MAX6442KAOTZD3-T --- Схемы управления питанием ---