HGTG30N60B3

HGTG30N60B3
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: HGTG30N60B3
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V N-Channel IGBT UFS Series
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация: 9298505.pdf9298506.pdf
Детальное описание компонента HGTG30N60B3
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.45 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 60 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 250 nA
Рассеяние мощности 208 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-247-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 60 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 150
Другие названия товара № HGTG30N60B3_NL

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
BP5875 BP5875 ROHM Semiconductor Модули управления питанием LED Drvr Module with Dim, 80-264VAC 300mA 9024147.pdf
MC33975EKR2 MC33975EKR2 --- Коммутационные микросхемы ---
G3M-203P-UTU-1-4 DC5 G3M-203P-UTU-1-4 DC5 --- Оптопары и оптроны ---
CC2425D3V CC2425D3V --- Оптопары и оптроны ---
VESD05A8C-HNH-GS08 VESD05A8C-HNH-GS08 --- Подавители статического заряда ---