HGTG30N60B3

HGTG30N60B3
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: HGTG30N60B3
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V N-Channel IGBT UFS Series
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация: 9298505.pdf9298506.pdf
Детальное описание компонента HGTG30N60B3
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.45 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 60 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 250 nA
Рассеяние мощности 208 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-247-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 60 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 150
Другие названия товара № HGTG30N60B3_NL

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
AT45DB011D-MH-Y AT45DB011D-MH-Y --- Микросхемы памяти ---
UCC2813QDR-1Q1 UCC2813QDR-1Q1 --- Схемы управления питанием ---
PS2525-1-A PS2525-1-A --- Оптопары и оптроны ---
321 321 --- Аудио и видео разъемы ---
162GB16E1412PE 162GB16E1412PE --- Цилиндрические разъемы ---