STGD3NB60SDT4

STGD3NB60SDT4
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: STGD3NB60SDT4
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 600 Volt 3 Amp
Производитель: STMicroelectronics
Спецификация: 9297212.pdf
Детальное описание компонента STGD3NB60SDT4
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.5 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 6 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 100 nA
Рассеяние мощности 48 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-252-3 Упаковка Reel
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 6 A Минимальная рабочая температура - 65 C
Вид монтажа SMD/SMT Размер фабричной упаковки 2500

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
LMZ12008EVAL/NOPB LMZ12008EVAL/NOPB National Semiconductor (TI) Средства разработки интегральных схем (ИС) управления питанием LMZ12008 EVAL BOARD 9728016.pdf
ST92163-DEMO/MS ST92163-DEMO/MS STMicroelectronics Макетные платы и комплекты - другие процессоры ST92163 Demo Board ---
MT5692SMI-P-L-92.R1-SP MT5692SMI-P-L-92.R1-SP Multi-Tech Systems Модули коммутации V.92 Parallel Data/ Fax 3.3V 1288971.pdf
LM317MBDTRK LM317MBDTRK --- Схемы управления питанием ---
4941-1"x36yd-DkGray 4941-1"x36yd-DkGray --- Ленты и мастики ---