HGTP10N120BN

HGTP10N120BN
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: HGTP10N120BN
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 35A 1200V N-Ch
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация: 9293566.pdf
Детальное описание компонента HGTP10N120BN
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.45 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 35 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 250 nA
Рассеяние мощности 298 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-220-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 35 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 400
Другие названия товара № HGTP10N120BN_NL

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
P1100EALRP1 P1100EALRP1 Littelfuse Сидаки 50A 90V 179576.pdf
DAC3484IRKD25 DAC3484IRKD25 Texas Instruments ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) 4Ch 16B 1.25GSPS DAC 2129792.pdf
MAX6440UTFIWD3+T MAX6440UTFIWD3+T --- Схемы управления питанием ---
ATA6844-PLQW ATA6844-PLQW --- Схемы управления питанием ---
571-0123 571-0123 --- Светодиодная индикация ---