HGTP10N120BN

HGTP10N120BN
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: HGTP10N120BN
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 35A 1200V N-Ch
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация: 9293566.pdf
Детальное описание компонента HGTP10N120BN
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.45 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 35 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 250 nA
Рассеяние мощности 298 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-220-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 35 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 400
Другие названия товара № HGTP10N120BN_NL

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
S6004VS2TP S6004VS2TP Littelfuse Комплектные тиристорные устройства (SCR) 4A 200uA 600V Sensing 148493.pdf
CDC204DW CDC204DW Texas Instruments Синхронизаторы и распределители тактового сигнала 5V 6B Inverter/Clock Driver 6199767.pdf
CD74ACT00M96G4 CD74ACT00M96G4 Texas Instruments Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) Quad 2-Input NAND Gates 8189780.pdf
MPC8535BVTATH MPC8535BVTATH --- Процессоры MCU, MPU, DSP, DSC, SoC ---
93AA46AT-I/MSG 93AA46AT-I/MSG --- Микросхемы памяти ---