IRG4BH20K-LPBF

IRG4BH20K-LPBF
Кол-во:
Заказать
На складе 1-2 недели
Название: IRG4BH20K-LPBF
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V UltraFast 4-20kHz
Производитель: International Rectifier
Спецификация: 9293180.pdf
Детальное описание компонента IRG4BH20K-LPBF
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1.2 KV
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 3.17 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 11 A Рассеяние мощности 60 W
Упаковка / блок TO-262 Упаковка Tube
Минимальная рабочая температура - 55 C Вид монтажа Through Hole
Размер фабричной упаковки 50
stock_1_2_week 31

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
SGL5N150UFTU SGL5N150UFTU Fairchild Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) ---
SMMUN2216LT1G SMMUN2216LT1G ON Semiconductor Transistors Switching (Resistor Biased) SS BR XSTR SPCL TR ---
FM24C32ULZM8 FM24C32ULZM8 --- Микросхемы памяти ---
SCV303LSN20T1 SCV303LSN20T1 --- Схемы управления питанием ---
FSAV450MTC FSAV450MTC --- Коммутационные микросхемы ---