HGTG10N120BND

HGTG10N120BND
Кол-во:
Заказать
Под заказ 2-3 недели
Название: HGTG10N120BND
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 35A 1200V N-Ch
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация: 9291029.pdf9291044.pdf
Цены: Розн.0,75$
Детальное описание компонента HGTG10N120BND
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.45 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 17 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 250 nA
Рассеяние мощности 298 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-247-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 35 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 150
Другие названия товара № HGTG10N120BND_NL order_2_3week 50

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
TISP4395J1BJR TISP4395J1BJR Bourns Сидаки 203917.pdf
TJA1054T/S900/VM:5 TJA1054T/S900/VM:5 NXP Semiconductors ИС, сетевые контроллеры и процессоры Fault-tolerant CAN transceiver ---
DAC8562SDGSR DAC8562SDGSR Texas Instruments ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) 16B,Dual,Lo Pwr Ultra-Lo Glitch DAC 2658769.pdf
VSMG2720-GS08 VSMG2720-GS08 Vishay Semiconductors Инфракрасные излучатели High Speed Emitter 5V 160mW 830nm 60Deg 6170164.pdf
CD74HC11E CD74HC11E Texas Instruments Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) Hi-Speed CMOS Logic 3 3-Input AND Gate 7975413.pdf