HGTG10N120BND

HGTG10N120BND
Кол-во:
Заказать
Под заказ 2-3 недели
Название: HGTG10N120BND
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 35A 1200V N-Ch
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация: 9291029.pdf9291044.pdf
Цены: Розн.0,75$
Детальное описание компонента HGTG10N120BND
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.45 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 17 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 250 nA
Рассеяние мощности 298 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-247-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 35 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 150
Другие названия товара № HGTG10N120BND_NL order_2_3week 50

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MIKROE-450 MIKROE-450 mikroElektronika Макетные платы и комплекты - PIC / DSPIC dsPIC READY2 BOARD 40 PIN DSPIC 9206384.pdf
INA2137UA/2K5 INA2137UA/2K5 Texas Instruments Передатчики, приемники, трансиверы аудиосигналов Aud Diff Line Rcvrs +-6dB (G=1/2 or 2) 6043721.pdf
CY25100SXI-030T CY25100SXI-030T Cypress Semiconductor Тактовые генераторы и продукция для поддержки Spectrum Clk Genratr IND ---
MAX5177AEEE+ MAX5177AEEE+ Maxim Integrated Products ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) 12-Bit Precision DAC 1292807.pdf
74LV138BQ,115 74LV138BQ,115 NXP Semiconductors Кодеры, декодеры, мультиплексоры и демультиплексоры 3.3V 3-8 LINE 2808197.pdf