HGTG10N120BND

HGTG10N120BND
Кол-во:
Заказать
Под заказ 2-3 недели
Название: HGTG10N120BND
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 35A 1200V N-Ch
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация: 9291029.pdf9291044.pdf
Цены: Розн.0,75$
Детальное описание компонента HGTG10N120BND
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.45 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 17 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 250 nA
Рассеяние мощности 298 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-247-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 35 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 150
Другие названия товара № HGTG10N120BND_NL order_2_3week 50

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
AT29C010A-12PC AT29C010A-12PC --- Микросхемы памяти ---
FLP2FR6.5-SUG FLP2FR6.5-SUG --- Светодиодная индикация ---
36515-0098 36515-0098 --- Прямоугольные разъемы ---
P0544 P0544 --- Трансформаторы сигналов ---
B-151-11 B-151-11 --- Рубки и рукава ---