HGT1S12N60A4DS

HGT1S12N60A4DS
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: HGT1S12N60A4DS
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 12A 600V N-Ch
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация: 9290284.pdf
Детальное описание компонента HGT1S12N60A4DS
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.7 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 54 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 250 nA
Рассеяние мощности 167 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-263AB-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 54 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа SMD/SMT Размер фабричной упаковки 50
Другие названия товара № HGT1S12N60A4DS_NL

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
LP38501TS-ADJEV LP38501TS-ADJEV National Semiconductor (TI) Средства разработки интегральных схем (ИС) управления питанием LP38501TS-ADJ EVAL BOARD 9743221.pdf
103-0511-403 103-0511-403 --- Лампы и держатели ---
95-21UYC/S530-A3/TR9 95-21UYC/S530-A3/TR9 --- Светодиодная индикация ---
TCM1608G-201-4P TCM1608G-201-4P --- ЭМП и РЧП ---
B65803P0500L087 B65803P0500L087 --- ЭМП и РЧП ---