HGT1S12N60A4DS

HGT1S12N60A4DS
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: HGT1S12N60A4DS
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 12A 600V N-Ch
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация: 9290284.pdf
Детальное описание компонента HGT1S12N60A4DS
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.7 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 54 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 250 nA
Рассеяние мощности 167 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-263AB-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 54 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа SMD/SMT Размер фабричной упаковки 50
Другие названия товара № HGT1S12N60A4DS_NL

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
2KBP01M-E4/51 2KBP01M-E4/51 Vishay Semiconductors Мостовые выпрямители 2.0 Amp 100 Volt 2539982.pdf
SN65LVDM1676DGGR SN65LVDM1676DGGR Texas Instruments ИС интерфейса LVDS 16-Channel LVDM Transceiver 7777452.pdf
AT24C04B-TH-B AT24C04B-TH-B --- Микросхемы памяти ---
UC2853ADG4 UC2853ADG4 --- Схемы управления питанием ---
LFE2M20SE-6F484I LFE2M20SE-6F484I --- Программируемые логические интегральные схемы ---