HGT1S12N60A4DS

HGT1S12N60A4DS
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: HGT1S12N60A4DS
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 12A 600V N-Ch
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация: 9290284.pdf
Детальное описание компонента HGT1S12N60A4DS
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.7 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 54 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 250 nA
Рассеяние мощности 167 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-263AB-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 54 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа SMD/SMT Размер фабричной упаковки 50
Другие названия товара № HGT1S12N60A4DS_NL

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MAX5166MCCM+T MAX5166MCCM+T --- Микросхемы усилителей ---
TPS2042BDG4 TPS2042BDG4 --- Коммутационные микросхемы ---
HMA2701 HMA2701 --- Оптопары и оптроны ---
DCMC822M450DN5H DCMC822M450DN5H --- Конденсаторы ---
4590-2 4590-2 --- Комплектующие для испытательного оборудования ---