HGTG20N60A4D

HGTG20N60A4D
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: HGTG20N60A4D
Описание: Transistors IGBT 600V
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация: 9289761.pdf9289762.pdf
Детальное описание компонента HGTG20N60A4D
Fabricant Fairchild Semiconductor Catégorie du produit Transistors IGBT
Configuration Single Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max. 600 V
Tension de saturation collecteur-émetteur 1.8 V Tension de l'émetteur de porte max. +/- 20 V
Courant collecteur continu de 25 C 70 A Courant de fuite gâchette-émetteur +/- 250 nA
Dissipation de la puissance 290 W Température de fonctionnement max. + 150 C
Package/Boîte TO-247-3 Conditionnement Tube
Courant de collecteur continu Ic max. 70 A Température de fonctionnement min. - 55 C
Style de montage Through Hole Nombre de pièces de l'usine 150
Raccourcis pour l'article N° HGTG20N60A4D_NL

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
SI3211PPTX-EVB SI3211PPTX-EVB Silicon Labs Средства разработки интегральных схем (ИС) аудиоконтроллеров Si3211 EVAL BOARD 9262409.pdf
SCE5740 SCE5740 --- Светодиодные дисплеи ---
LM4132BMFX-2.0 LM4132BMFX-2.0 --- Схемы управления питанием ---
CY2292SL-808 CY2292SL-808 --- RF Semiconductors ---
5110.0233.3 5110.0233.3 --- Модули подачи питания ---