HGTG20N60A4D
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| Название: | HGTG20N60A4D | ||
| Описание: | Transistors IGBT 600V | ||
| Производитель: | Fairchild Semiconductor | ||
| Спецификация: | 9289761.pdf9289762.pdf | ||
| Детальное описание компонента HGTG20N60A4D | |||
| Fabricant | Fairchild Semiconductor | Catégorie du produit | Transistors IGBT |
|---|---|---|---|
| Configuration | Single | Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max. | 600 V |
| Tension de saturation collecteur-émetteur | 1.8 V | Tension de l'émetteur de porte max. | +/- 20 V |
| Courant collecteur continu de 25 C | 70 A | Courant de fuite gâchette-émetteur | +/- 250 nA |
| Dissipation de la puissance | 290 W | Température de fonctionnement max. | + 150 C |
| Package/Boîte | TO-247-3 | Conditionnement | Tube |
| Courant de collecteur continu Ic max. | 70 A | Température de fonctionnement min. | - 55 C |
| Style de montage | Through Hole | Nombre de pièces de l'usine | 150 |
| Raccourcis pour l'article N° | HGTG20N60A4D_NL | ||
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