FGB7N60UNDF

FGB7N60UNDF
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: FGB7N60UNDF
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 7A NPT IGBT
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация: 9289179.pdf
Детальное описание компонента FGB7N60UNDF
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.1 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 14 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 10 uA
Рассеяние мощности 83 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-263AB (D2 PAK) Упаковка Tube
Минимальная рабочая температура - 55 C Вид монтажа SMD/SMT
Размер фабричной упаковки 50

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
SPT8102PFC SPT8102PFC Freescale Semiconductor Дочерние и отладочные платы MSC8102 FARM CARD FOR PD ---
74ALVC00PW,112 74ALVC00PW,112 NXP Semiconductors Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) 3.3V QUAD 2-INPUT 8267753.pdf
DS1833-15+T&R DS1833-15+T&R --- Схемы управления питанием ---
EZ480D12 EZ480D12 --- Оптопары и оптроны ---
IRAM136-1060B IRAM136-1060B --- Схемы управления питанием ---