IKW15N120H3

IKW15N120H3
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: IKW15N120H3
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента IKW15N120H3
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.7 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V Непрерывный коллекторный ток при 25 C 30 A
Ток утечки затвор-эмиттер 600 nA Рассеяние мощности 217 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок TO-247-3
Упаковка Tube Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 240
Другие названия товара № IKW15N120H3FKSA1 IKW15N120H3FKSA1, IKW15N120H3XK SP000674422,

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
SN74HCT32DRE4 SN74HCT32DRE4 Texas Instruments Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) Quadruple 2-Input Positive-OR Gates 8234183.pdf
LM140K-5.0/NOPB LM140K-5.0/NOPB --- Схемы управления питанием ---
C503T-GCS-CX0A0792 C503T-GCS-CX0A0792 --- Светодиодная индикация ---
T107/C T107/C --- Продукты для создания прототипов ---
924160-R 924160-R --- Электронное оборудование ---