IKW15N120H3

IKW15N120H3
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: IKW15N120H3
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента IKW15N120H3
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.7 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V Непрерывный коллекторный ток при 25 C 30 A
Ток утечки затвор-эмиттер 600 nA Рассеяние мощности 217 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок TO-247-3
Упаковка Tube Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 240
Другие названия товара № IKW15N120H3FKSA1 IKW15N120H3FKSA1, IKW15N120H3XK SP000674422,

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
HV809P HV809P Supertex Display Drivers HVCMOS 3867412.pdf
LM78L62ACZ/LFT1 LM78L62ACZ/LFT1 --- Схемы управления питанием ---
MAX6835WXSD0+T MAX6835WXSD0+T --- Схемы управления питанием ---
DG412CJ+ DG412CJ+ --- Коммутационные микросхемы ---
SML-LX23SUGC-TR SML-LX23SUGC-TR --- Светодиодная индикация ---