IKW15N120H3

IKW15N120H3
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: IKW15N120H3
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента IKW15N120H3
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.7 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V Непрерывный коллекторный ток при 25 C 30 A
Ток утечки затвор-эмиттер 600 nA Рассеяние мощности 217 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок TO-247-3
Упаковка Tube Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 240
Другие названия товара № IKW15N120H3FKSA1 IKW15N120H3FKSA1, IKW15N120H3XK SP000674422,

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MAXREADERKIT-JPN MAXREADERKIT-JPN Ramtron Средства разработки интегральных схем (ИС) памяти MaxReader Dev Kit (Tuned to Japan) ---
WM8976GEFL/V WM8976GEFL/V Wolfson Microelectronics Аудио-КОДЕКи Mono ADC Stereo DAC with Spkr 5738108.pdf
MX7545GLN+ MX7545GLN+ Maxim Integrated Products ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) 12-Bit Precision DAC 1128755.pdf
LFE3-150EA-6FN672I LFE3-150EA-6FN672I --- Программируемые логические интегральные схемы ---
49103 49103 --- Антистатический контроль ---