IKW15N120H3

IKW15N120H3
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: IKW15N120H3
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента IKW15N120H3
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.7 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V Непрерывный коллекторный ток при 25 C 30 A
Ток утечки затвор-эмиттер 600 nA Рассеяние мощности 217 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок TO-247-3
Упаковка Tube Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 240
Другие названия товара № IKW15N120H3FKSA1 IKW15N120H3FKSA1, IKW15N120H3XK SP000674422,

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
VG025-PCB2000 VG025-PCB2000 TriQuint Semiconductor Радиочастотные средства разработки 2000MHz Eval Brd 8.5dB Gain 1022889.pdf
CR2600SB CR2600SB Crydom Сидаки D0 214 300V ---
MAX4146EEE+T MAX4146EEE+T Maxim Integrated Products Специальные усилители 2295296.pdf
MAX528CWG+T MAX528CWG+T Maxim Integrated Products ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) 8-Bit 8Ch Precision DAC 2647207.pdf
SN65ELT20DR SN65ELT20DR Texas Instruments Трансляция - уровни напряжения 5V TTL to Diff PECL Translator 5407703.pdf