IKW15N120H3

IKW15N120H3
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: IKW15N120H3
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента IKW15N120H3
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.7 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V Непрерывный коллекторный ток при 25 C 30 A
Ток утечки затвор-эмиттер 600 nA Рассеяние мощности 217 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок TO-247-3
Упаковка Tube Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 240
Другие названия товара № IKW15N120H3FKSA1 IKW15N120H3FKSA1, IKW15N120H3XK SP000674422,

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
1N4448WS-V-GS08 1N4448WS-V-GS08 Vishay Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) 100 Volt 500mA 4ns 3734045.pdf
AN983X-AH-T-21 AN983X-AH-T-21 Infineon Technologies ИС, сетевые контроллеры и процессоры WIRED NIC ---
MAX19708ETM+ MAX19708ETM+ Maxim Integrated Products Многоканальные аналого-цифровые (ADC) / цифро-аналоговые (DAC) преобразователи 11Msps CODEC/AFE 1.8/2.7-3.3V 9248885.pdf
UCC3813PWTR-2G4 UCC3813PWTR-2G4 --- Схемы управления питанием ---
FOD2741AT FOD2741AT --- Оптопары и оптроны ---