HGTP12N60C3D

HGTP12N60C3D
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: HGTP12N60C3D
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) HGTP12N60C3D
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация: 4839671.pdf
Детальное описание компонента HGTP12N60C3D
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.65 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 24 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 100 nA
Рассеяние мощности 104 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-220-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 24 A Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 400
Другие названия товара № HGTP12N60C3D_NL

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
HFBR-24E6Z HFBR-24E6Z Avago Technologies Волоконно-оптические передатчики, приемники, трансиверы Lo Cos 125MHZ FO Rx w/SC Port Pf ---
74AUP1G0832GW-G 74AUP1G0832GW-G NXP Semiconductors Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) 1.8V LOW-POW 3-INPUT AND-OR 8701841.pdf
3UTC 3UTC --- Светодиодная индикация ---
B43455A1228M000 B43455A1228M000 --- Конденсаторы ---
L17DVZK37KFMT L17DVZK37KFMT --- Субминиатюрные соединители ---