HGTP12N60C3D

HGTP12N60C3D
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: HGTP12N60C3D
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) HGTP12N60C3D
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация: 4839671.pdf
Детальное описание компонента HGTP12N60C3D
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.65 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 24 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 100 nA
Рассеяние мощности 104 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-220-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 24 A Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 400
Другие названия товара № HGTP12N60C3D_NL

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
HCPL-0710-060E HCPL-0710-060E --- Оптопары и оптроны ---
S-100-B-17-G S-100-B-17-G --- Комплектующие для испытательного оборудования ---
1-145154-2 1-145154-2 --- Прямоугольные разъемы ---
YP-61+YC12 YP-61+YC12 --- Кабели питания переменного тока ---
LFPSJ602.Z LFPSJ602.Z --- Держатели предохранителей, зажимы и аппаратура ---