HGTP12N60C3D
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | HGTP12N60C3D | ||
| Описание: | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) HGTP12N60C3D | ||
| Производитель: | Fairchild Semiconductor | ||
| Спецификация: | 4839671.pdf | ||
| Детальное описание компонента HGTP12N60C3D | |||
| Конфигурация | Single | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
|---|---|---|---|
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.65 V | Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 24 A | Ток утечки затвор-эмиттер | +/- 100 nA |
| Рассеяние мощности | 104 W | Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка / блок | TO-220-3 | Упаковка | Tube |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 24 A | Минимальная рабочая температура | - 40 C |
| Вид монтажа | Through Hole | Размер фабричной упаковки | 400 |
| Другие названия товара № | HGTP12N60C3D_NL | ||
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
1N4148WS-V-GS08 | Vishay Semiconductors | Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) 100 Volt 350mA | 3488920.pdf |
|
|
 |
TISP61089P | Bourns | Комплектные тиристорные устройства (SCR) Dual P Gate Forward Conducting | 159792.pdf |
|
|
 |
TDA8563Q/N2C,112 | NXP Semiconductors | Усилители звука 2X40W/2 E STEREO BTL | --- |
|
|
 |
SN75C3222DWE4 | Texas Instruments | ИС, интерфейс RS-232 3-5.5V MultiCh Compat Line Drv/Rcvr | 5394548.pdf |
|
|
|
|
MAX3083EESD-T | Maxim Integrated Products | ИС интерфейса RS-422/RS-485 | 5961184.pdf |
|