HGTP12N60C3D

HGTP12N60C3D
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: HGTP12N60C3D
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) HGTP12N60C3D
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация: 4839671.pdf
Детальное описание компонента HGTP12N60C3D
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.65 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 24 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 100 nA
Рассеяние мощности 104 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-220-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 24 A Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 400
Другие названия товара № HGTP12N60C3D_NL

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
RGP10DE-E3/23 RGP10DE-E3/23 Vishay Semiconductors Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) 1.0A 200 Volt 150ns 4088378.pdf
P431 P431 Vishay Semiconductors Модули КТУ (SCR) 400 Volt 40 Amp ---
IRKL91/14P IRKL91/14P Vishay Semiconductors Модули КТУ (SCR) 1400 Volt 95 Amp ---
DS21Q354C1 DS21Q354C1 Maxim Integrated Products ИС, сетевые контроллеры и процессоры 3.3/5V Quad T1/E1 Transceiver 9590312.pdf
DS2182Q DS2182Q Maxim Integrated Products ИС, сетевые контроллеры и процессоры ---