STGP19NC60KD
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | STGP19NC60KD | ||
| Описание: | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT | ||
| Производитель: | STMicroelectronics | ||
| Спецификация: | 4834048.pdf | ||
| Детальное описание компонента STGP19NC60KD | |||
| Конфигурация | Single | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
|---|---|---|---|
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V | Рассеяние мощности | 125 W |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C | Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Упаковка | Tube | Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 35 A |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C | Вид монтажа | Through Hole |
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
EA eDIP160B-7LWTP | ELECTRONIC ASSEMBLY | Графические дисплейные ЖК-модули и принадлежности 160x104 Intl. Blue Neg w/ Touch Panel | 5387554.pdf |
|
|
 |
TQP3M9006-PCB | TriQuint Semiconductor | Средства разработки интегральных схем (ИС) усилителей 500-4000MHz Ga13.5dB Eval Board | 9030000.pdf |
|
|
 |
PMLL4448 /T3 | NXP Semiconductors | Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) DIODE SW TAPE-13 | --- |
|
|
 |
MCC26-12io8B | Ixys | Дискретные полупроводниковые модули 26 Amps 1200V | 4510364.pdf |
|
|
|
|
NESG2101M05-EVPW24-A | CEL | РЧ транзисторы, кремний-германиевые Silicon Germanium Amp. and Oscillator | 440512.pdf |
|