HGTP5N120BND

HGTP5N120BND
Кол-во:
Заказать
Под заказ 2-3 недели
Название: HGTP5N120BND
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 21a 1200V IGBT NPT Series N-Ch
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация: 4830216.pdf4830231.pdf
Цены: Розн.2,6544$
Детальное описание компонента HGTP5N120BND
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.45 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 21 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 250 nA
Рассеяние мощности 167 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-220AB-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 21 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 400
Другие названия товара № HGTP5N120BND_NL order_2_3week 4

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
HLG-120H-30 HLG-120H-30 Mean Well LED Drivers Power Supplies 120W 30V 4A 90-305VAC IP67 Rated 4407875.pdf
DS1100Z-125 DS1100Z-125 Maxim Integrated Products Линии задержки/хронирующие элементы 5-Tap Timing Element 6681211.pdf
HMUA-FK-A1255(01) HMUA-FK-A1255(01) Hirose Connector Волоконно-оптические соединители FO CONN FERRULES F. PLUG 5903674.pdf
CBTS3306D-T CBTS3306D-T NXP Semiconductors Функции универсальной шины DUAL BUS SW/SCHOTKY DIODE CLMP 5701540.pdf
34RC02UI 34RC02UI --- Микросхемы памяти ---