HGTP5N120BND

HGTP5N120BND
Кол-во:
Заказать
Под заказ 2-3 недели
Название: HGTP5N120BND
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 21a 1200V IGBT NPT Series N-Ch
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация: 4830216.pdf4830231.pdf
Цены: Розн.2,6544$
Детальное описание компонента HGTP5N120BND
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.45 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 21 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 250 nA
Рассеяние мощности 167 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-220AB-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 21 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 400
Другие названия товара № HGTP5N120BND_NL order_2_3week 4

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
DS1886T+T DS1886T+T Maxim Integrated Products Интерфейс - специализированный PON ONU/SFP CTRLR W/DIG LDD INT 7689513.pdf
REF3020AIDBZT REF3020AIDBZT --- Схемы управления питанием ---
74ACT16245QDLREPG4 74ACT16245QDLREPG4 --- Логические микросхемы ---
TSD922-19 TSD922-19 --- Инструменты ---
VCAS120626D580RP VCAS120626D580RP --- Варисторы ---