HGTP5N120BND

HGTP5N120BND
Кол-во:
Заказать
Под заказ 2-3 недели
Название: HGTP5N120BND
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 21a 1200V IGBT NPT Series N-Ch
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация: 4830216.pdf4830231.pdf
Цены: Розн.2,6544$
Детальное описание компонента HGTP5N120BND
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.45 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 21 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 250 nA
Рассеяние мощности 167 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-220AB-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 21 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 400
Другие названия товара № HGTP5N120BND_NL order_2_3week 4

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MM74HC154MTCX MM74HC154MTCX Fairchild Semiconductor Кодеры, декодеры, мультиплексоры и демультиплексоры 4-to-16 Line Decoder 3785543.pdf
LZ-010010B4G1 LZ-010010B4G1 --- Светодиоды высокой мощности ---
LNW2W681MSEC LNW2W681MSEC --- Конденсаторы ---
1605491 1605491 --- Цилиндрические разъемы ---
MI-2523 (35) MI-2523 (35) --- Клеммные колодки ---