HGT1S10N120BNS
![]() |
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
Название: | HGT1S10N120BNS | ||
Описание: | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 35A 1200V NPT N-Ch | ||
Производитель: | Fairchild Semiconductor | ||
Спецификация: | 4825387.pdf | ||
Детальное описание компонента HGT1S10N120BNS | |||
Конфигурация | Single | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
---|---|---|---|
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.7 V | Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 35 A | Ток утечки затвор-эмиттер | +/- 250 nA |
Рассеяние мощности | 298 W | Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Упаковка / блок | TO-263AB-3 | Упаковка | Tube |
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 35 A | Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Вид монтажа | SMD/SMT | Размер фабричной упаковки | 50 |
Популярные товары:
Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
STGW35HF60WD | STMicroelectronics | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 35 A 600 V Ultra fast IGBT | 9301092.pdf |
|
|
![]() |
LP339DR | Texas Instruments | ИС, компараторы Quad Diff | 9422793.pdf |
|
|
![]() |
74AHC594BQ,115 | NXP Semiconductors | Регистры сдвига счетчика 5V SHIFT REG W OUTPT | 1959606.pdf |
|
|
![]() |
TL3843BDRG4 | --- | Схемы управления питанием | --- |
|
|
![]() |
H11AA4SVM | --- | Оптопары и оптроны | --- |
|