FGL60N100BNTD
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
|||
Название: | FGL60N100BNTD | ||
Описание: | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) HIGH_POWER | ||
Производитель: | Fairchild Semiconductor | ||
Спецификация: | 4820335.pdf4820365.pdf | ||
Детальное описание компонента FGL60N100BNTD | |||
Конфигурация | Single | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1000 V |
---|---|---|---|
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.5 V | Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 25 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 60 A | Ток утечки затвор-эмиттер | +/- 500 nA |
Рассеяние мощности | 180 W | Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Упаковка / блок | TO-264-3 | Упаковка | Tube |
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 60 A | Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Вид монтажа | Through Hole | Размер фабричной упаковки | 25 |
Другие названия товара № | FGL60N100BNTD_NL |
Популярные товары:
Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
---|---|---|---|---|---|---|
U62256ADK07LLG1 | --- | Микросхемы памяти | --- |
|
||
MC79L12ACP | --- | Схемы управления питанием | --- |
|
||
PHA3135-130M | --- | RF Semiconductors | --- |
|
||
SML-LXL1206YC-TR | --- | Светодиодная индикация | --- |
|
||
5874 BR005 | --- | Провод - одножильный | --- |
|