FGL60N100BNTD

FGL60N100BNTD
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: FGL60N100BNTD
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) HIGH_POWER
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация: 4820335.pdf4820365.pdf
Детальное описание компонента FGL60N100BNTD
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1000 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.5 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 25 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 60 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 500 nA
Рассеяние мощности 180 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-264-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 60 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 25
Другие названия товара № FGL60N100BNTD_NL

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
U62256ADK07LLG1 U62256ADK07LLG1 --- Микросхемы памяти ---
MC79L12ACP MC79L12ACP --- Схемы управления питанием ---
PHA3135-130M PHA3135-130M --- RF Semiconductors ---
SML-LXL1206YC-TR SML-LXL1206YC-TR --- Светодиодная индикация ---
5874 BR005 5874 BR005 --- Провод - одножильный ---