IRGIB10B60KD1P

IRGIB10B60KD1P
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: IRGIB10B60KD1P
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V Low-Vceon
Производитель: International Rectifier
Спецификация: 4817907.pdf
Детальное описание компонента IRGIB10B60KD1P
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.1 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 16 A Рассеяние мощности 44 W
Упаковка / блок TO-220FP Упаковка Tube
Минимальная рабочая температура - 55 C Вид монтажа Through Hole
Размер фабричной упаковки 50

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
SGMII-E3-U2 SGMII-E3-U2 Lattice Программное обеспечение для разработки Serial Gb Media Independent Interfce ---
74LVC841APW 74LVC841APW NXP Semiconductors Защелки 10BIT BUS INTERFC LATCH 3ST 2986439.pdf
RL1005-79K-150-D1 RL1005-79K-150-D1 --- Термисторы – отрицательный температурный коэффициент ---
BLM18BD102SN1D BLM18BD102SN1D --- ЭМП и РЧП ---
L77TWA11W1SMCSVRM6 L77TWA11W1SMCSVRM6 --- Субминиатюрные соединители ---