IRGIB10B60KD1P

IRGIB10B60KD1P
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: IRGIB10B60KD1P
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V Low-Vceon
Производитель: International Rectifier
Спецификация: 4817907.pdf
Детальное описание компонента IRGIB10B60KD1P
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.1 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 16 A Рассеяние мощности 44 W
Упаковка / блок TO-220FP Упаковка Tube
Минимальная рабочая температура - 55 C Вид монтажа Through Hole
Размер фабричной упаковки 50

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MAX5811PEUT+T MAX5811PEUT+T Maxim Integrated Products ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) 10-Bit Precision DAC 1368360.pdf
MX7537J/D MX7537J/D Maxim Integrated Products ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) 2904298.pdf
PCI9080-3 G PCI9080-3 G PLX Technology Периферийные ИС и компоненты (PCI) 32Bit Master Chip ---
MAX6440UTMQWD3-T MAX6440UTMQWD3-T --- Схемы управления питанием ---
MAX313CPE MAX313CPE --- Коммутационные микросхемы ---