IGW15N120H3

IGW15N120H3
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: IGW15N120H3
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента IGW15N120H3
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.7 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V Непрерывный коллекторный ток при 25 C 30 A
Ток утечки затвор-эмиттер 600 nA Рассеяние мощности 217 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок TO-247-3
Упаковка Tube Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 240
Другие названия товара № IGW15N120H3FKSA1 IGW15N120H3FKSA1, IGW15N120H3XK SP000674430,

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MOU-AV202C-NT3IJ MOU-AV202C-NT3IJ Matrix Orbital Вакуумно-люминесцентные дисплеи (VFD) Vacuum Florescent Blue/Green Text ---
SL23EP08SI-1 SL23EP08SI-1 Silicon Labs Тактовый буфер 10-133MHz 8 Out ZDB 3.3-2.5V Fout=Fin 6086297.pdf
MAX3054ASD+ MAX3054ASD+ Maxim Integrated Products ИС для интерфейса CAN 80V Fault-Protected 2Mbps 9378253.pdf
3B32UM 3B32UM --- Автоматические выключатели ---
SSL-LX30FT14YD SSL-LX30FT14YD --- Светодиодная индикация ---