IGW15N120H3

IGW15N120H3
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: IGW15N120H3
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента IGW15N120H3
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.7 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V Непрерывный коллекторный ток при 25 C 30 A
Ток утечки затвор-эмиттер 600 nA Рассеяние мощности 217 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок TO-247-3
Упаковка Tube Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 240
Другие названия товара № IGW15N120H3FKSA1 IGW15N120H3FKSA1, IGW15N120H3XK SP000674430,

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
CS47024C-DQZR CS47024C-DQZR Cirrus Logic Цифровые процессоры звукового сигнала IC 32bit A/D Process SOC DSP 5957755.pdf
OD172SAP-24HB OD172SAP-24HB --- Вентиляторы и нагнетатели воздуха ---
09-01-6224 09-01-6224 --- Прямоугольные разъемы ---
EPS-300 1 1/2-48-BLA EPS-300 1 1/2-48-BLA --- Рубки и рукава ---
FX0357 FX0357 --- Держатели предохранителей, зажимы и аппаратура ---