IGW15N120H3

IGW15N120H3
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: IGW15N120H3
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента IGW15N120H3
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.7 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V Непрерывный коллекторный ток при 25 C 30 A
Ток утечки затвор-эмиттер 600 nA Рассеяние мощности 217 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок TO-247-3
Упаковка Tube Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 240
Другие названия товара № IGW15N120H3FKSA1 IGW15N120H3FKSA1, IGW15N120H3XK SP000674430,

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
USB2602-NU-02 USB2602-NU-02 SMSC ИС, интерфейс USB USB 2.0 Flash Media 4-Port Hub 6296260.pdf
PCA9557D PCA9557D Texas Instruments Расширители ввода/вывода, ретрансляторы и концентраторы Remote 8B I2C & SMBus I/O Expander ---
1CU40L 1CU40L --- Автоматические выключатели ---
W3A41A391KAT2A W3A41A391KAT2A --- Конденсаторы ---
28R0614-200 28R0614-200 --- ЭМП и РЧП ---