IRGB4B60KD1PBF

IRGB4B60KD1PBF
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: IRGB4B60KD1PBF
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V Low-Vceon Non Punch Through
Производитель: International Rectifier
Спецификация: 4814579.pdf
Детальное описание компонента IRGB4B60KD1PBF
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.5 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 12 A Рассеяние мощности 63 W
Упаковка / блок TO-220AB Упаковка Tube
Минимальная рабочая температура - 55 C Вид монтажа Through Hole
Размер фабричной упаковки 50

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
EFM32LG-DK3650 EFM32LG-DK3650 Energy Micro Макетные платы и комплекты - ARM Development Kit 9761229.pdf
DS9105-000+ DS9105-000+ Maxim Integrated Products Контактная память 1526636.pdf
MRF6VP41KHSR7 MRF6VP41KHSR7 Freescale Semiconductor РЧ транзисторы, МОП-структура VHV6 450MHZ1000W NI1230S ---
W65C22N6TPLG-14 W65C22N6TPLG-14 Western Design Center (WDC) ИС, контроллер интерфейса ввода вывода Versatile Interface Adapter 9435173.pdf
SST39VF200A-70-4C-MAQE-T SST39VF200A-70-4C-MAQE-T --- Микросхемы памяти ---