SGH30N60RUFDTU

SGH30N60RUFDTU
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: SGH30N60RUFDTU
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Dis Short Circuit Rated IGBT
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация: 4811099.pdf
Детальное описание компонента SGH30N60RUFDTU
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.2 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 48 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 100 nA
Рассеяние мощности 235 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-3P-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 48 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 30
Другие названия товара № SGH30N60RUFDTU_NL

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MAX3012EUP+T MAX3012EUP+T Maxim Integrated Products Трансляция - уровни напряжения 1.2-5.5V .1uA 35Mbps 8Ch 5339055.pdf
IS43R16800C-5TL IS43R16800C-5TL --- Микросхемы памяти ---
TDP0500 TDP0500 --- Комплектующие для испытательного оборудования ---
V421DA40 V421DA40 --- Варисторы ---
DBL5W5P500M40LF DBL5W5P500M40LF --- Субминиатюрные соединители ---