IGW25N120H3

IGW25N120H3
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: IGW25N120H3
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента IGW25N120H3
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.7 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V Непрерывный коллекторный ток при 25 C 50 A
Ток утечки затвор-эмиттер 600 nA Рассеяние мощности 326 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок TO-247-3
Упаковка Tube Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 240
Другие названия товара № IGW25N120H3FKSA1 IGW25N120H3FKSA1, IGW25N120H3XK SP000674424,

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MAX15005AEVKIT+ MAX15005AEVKIT+ Maxim Integrated Products Средства разработки интегральных схем (ИС) управления питанием MAX15005A Eval Kit 9740648.pdf
BY229B-200HE3/45 BY229B-200HE3/45 Vishay Semiconductors Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) 8.0A 200 Volt 145ns 100 Amp IFSM 3749515.pdf
MAX9375EUA+T MAX9375EUA+T Maxim Integrated Products Трансляция - уровни напряжения LVDS/X->LVPECL Translator ---
M29W400DB70N6 M29W400DB70N6 --- Микросхемы памяти ---
CGS913U016V4C CGS913U016V4C --- Конденсаторы ---