IGW25N120H3

IGW25N120H3
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: IGW25N120H3
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента IGW25N120H3
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.7 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V Непрерывный коллекторный ток при 25 C 50 A
Ток утечки затвор-эмиттер 600 nA Рассеяние мощности 326 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок TO-247-3
Упаковка Tube Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 240
Другие названия товара № IGW25N120H3FKSA1 IGW25N120H3FKSA1, IGW25N120H3XK SP000674424,

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
502128-3 502128-3 TE Connectivity / AMP Волоконно-оптические соединители STRAIN RELIEF 2.5MM BAY. RED ---
MAX3237ECAI MAX3237ECAI Maxim Integrated Products ИС, интерфейс RS-232 5695708.pdf
BCBS-12-06R BCBS-12-06R --- Автоматические выключатели ---
SLX-LX509F6USBD SLX-LX509F6USBD --- Светодиодная индикация ---
CD-720PV8-2 CD-720PV8-2 --- Инструменты ---