IGW25N120H3

IGW25N120H3
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: IGW25N120H3
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента IGW25N120H3
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.7 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V Непрерывный коллекторный ток при 25 C 50 A
Ток утечки затвор-эмиттер 600 nA Рассеяние мощности 326 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок TO-247-3
Упаковка Tube Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 240
Другие названия товара № IGW25N120H3FKSA1 IGW25N120H3FKSA1, IGW25N120H3XK SP000674424,

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
P0901SARP P0901SARP Littelfuse Сидаки 50A 75V 189024.pdf
TISP4030L1BJR TISP4030L1BJR Bourns Сидаки Very Low Voltage Bidirectional 204388.pdf
CR1500SA CR1500SA Crydom Сидаки D0 214 180V ---
LM385BZ/NOPB LM385BZ/NOPB --- Схемы управления питанием ---
PC852XPJ000F PC852XPJ000F --- Оптопары и оптроны ---