HGTG18N120BND

HGTG18N120BND
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: HGTG18N120BND
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 54A 1200V N-Ch w/Ant Parallel Hyprfst Dde
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация: 4800931.pdf4800956.pdf
Детальное описание компонента HGTG18N120BND
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.45 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 54 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 250 nA
Рассеяние мощности 390 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-247-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 54 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 150
Другие названия товара № HGTG18N120BND_NL

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
TPA711D TPA711D Texas Instruments Усилители звука 700mW Low Voltage 3401171.pdf
DP16HN24A25F DP16HN24A25F --- Кодеры ---
162GB16F1007SC 162GB16F1007SC --- Цилиндрические разъемы ---
646851-1 646851-1 --- Прямоугольные разъемы ---
Y7354300502402V Y7354300502402V --- Формирование сигнала ---