HGTG18N120BND

HGTG18N120BND
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: HGTG18N120BND
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 54A 1200V N-Ch w/Ant Parallel Hyprfst Dde
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация: 4800931.pdf4800956.pdf
Детальное описание компонента HGTG18N120BND
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.45 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 54 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 250 nA
Рассеяние мощности 390 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-247-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 54 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 150
Другие названия товара № HGTG18N120BND_NL

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
25LC160B-I/P 25LC160B-I/P --- Микросхемы памяти ---
STCC08RL STCC08RL --- Коммутационные микросхемы ---
VLMY62CADA-GS08 VLMY62CADA-GS08 --- Светодиоды высокой мощности ---
10TST68QB 10TST68QB --- Конденсаторы ---
MC100LVEP16DR2 MC100LVEP16DR2 --- Логические микросхемы ---