HGTG18N120BND

HGTG18N120BND
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: HGTG18N120BND
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 54A 1200V N-Ch w/Ant Parallel Hyprfst Dde
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация: 4800931.pdf4800956.pdf
Детальное описание компонента HGTG18N120BND
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.45 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 54 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 250 nA
Рассеяние мощности 390 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-247-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 54 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 150
Другие названия товара № HGTG18N120BND_NL

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
SP3243EHET-L SP3243EHET-L Exar ИС, интерфейс RS-232 Intel. +3V to +5.5V RS-232 5399936.pdf
HDSP-0763 HDSP-0763 --- Светодиодные дисплеи ---
NB2308AI5HDG NB2308AI5HDG --- RF Semiconductors ---
MAX4611EUD-T MAX4611EUD-T --- Коммутационные микросхемы ---
BECP38H25-L20 BECP38H25-L20 --- Средства маркировки и укладки проводов и кабелей ---