BSM75GAR120DN2
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
|||
Название: | BSM75GAR120DN2 | ||
Описание: | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A GAR CH | ||
Производитель: | Infineon Technologies | ||
Спецификация: | 4797812.pdf | ||
Детальное описание компонента BSM75GAR120DN2 | |||
Конфигурация | Single | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
---|---|---|---|
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.5 V | Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 100 A | Ток утечки затвор-эмиттер | 400 nA |
Рассеяние мощности | 625 W | Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Упаковка / блок | IS4 (34 mm )-5 | Минимальная рабочая температура | - 40 C |
Вид монтажа | Screw | Размер фабричной упаковки | 500 |
Популярные товары:
Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
---|---|---|---|---|---|---|
AP-FM016GEB2S5S-JT | Apacer | Твердотельные накопители (SSD) ADM3 44P/270D ATA DISK MOD SLC 16GB ST | --- |
|
||
TISP3072F3D-S | Bourns | Сидаки Low Voltage Dual Bidirectional | 207928.pdf |
|
||
HFCT-5954TL | Avago Technologies | Волоконно-оптические передатчики, приемники, трансиверы OC12 IR 2x10 SFF LC | --- |
|
||
CEC050C | --- | Конденсаторы | --- |
|
||
19288-0179 | --- | Инструменты | --- |
|