BSM75GAR120DN2

BSM75GAR120DN2
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BSM75GAR120DN2
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A GAR CH
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация: 4797812.pdf
Детальное описание компонента BSM75GAR120DN2
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.5 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 100 A Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
Рассеяние мощности 625 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок IS4 (34 mm )-5 Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа Screw Размер фабричной упаковки 500

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
HFBR-4532 HFBR-4532 Avago Technologies Волоконно-оптические соединители Latching FO Crimples s Connector 6105578.pdf
UC3845BD1R2G UC3845BD1R2G --- Схемы управления питанием ---
XTEHVW-Q0-0000-00000LBE8 XTEHVW-Q0-0000-00000LBE8 --- Светодиоды высокой мощности ---
AFG3101D1 AFG3101D1 --- Генераторы функций и синтезаторы ---
HWA-AF HWA-AF --- Держатели предохранителей, зажимы и аппаратура ---