STG3P2M10N60B

STG3P2M10N60B
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: STG3P2M10N60B
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1Phase Bridg Rctifir 3 phase invertr IGBT
Производитель: STMicroelectronics
Спецификация: 4794621.pdf
Детальное описание компонента STG3P2M10N60B
Конфигурация Hex Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V Непрерывный коллекторный ток при 25 C 19 A
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок SEMITOP 2-8
Упаковка Bulk Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа SMD/SMT Размер фабричной упаковки 15

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
1818 1818 --- Лампы и держатели ---
MAX223EWI+T MAX223EWI+T Maxim Integrated Products ИС, интерфейс RS-232 5V MultiCh RS-232 Driver/Receiver 5429838.pdf
BQ24315DSGR BQ24315DSGR --- Схемы управления питанием ---
NBC12439AFNG NBC12439AFNG --- RF Semiconductors ---
SSF-LXH103LYD-UC SSF-LXH103LYD-UC --- Светодиодная индикация ---