STG3P2M10N60B

STG3P2M10N60B
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: STG3P2M10N60B
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1Phase Bridg Rctifir 3 phase invertr IGBT
Производитель: STMicroelectronics
Спецификация: 4794621.pdf
Детальное описание компонента STG3P2M10N60B
Конфигурация Hex Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V Непрерывный коллекторный ток при 25 C 19 A
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок SEMITOP 2-8
Упаковка Bulk Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа SMD/SMT Размер фабричной упаковки 15

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
L020N002AYYHET0000 L020N002AYYHET0000 Vishay/Dale Модули сивольных ЖК-дисплеев и комплектующие Yel/Grn Transflect Yel/Grn LED 4821342.pdf
LM3525MX-L LM3525MX-L --- Коммутационные микросхемы ---
E3S-AD21 E3S-AD21 --- Оптические детекторы и датчики ---
AI-2304-TT-24V-R AI-2304-TT-24V-R --- Звуковые индикаторы и сигналы тревоги ---
AML51-D10GY AML51-D10GY --- Переключатели ---