STG3P2M10N60B
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
|||
Название: | STG3P2M10N60B | ||
Описание: | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1Phase Bridg Rctifir 3 phase invertr IGBT | ||
Производитель: | STMicroelectronics | ||
Спецификация: | 4794621.pdf | ||
Детальное описание компонента STG3P2M10N60B | |||
Конфигурация | Hex | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
---|---|---|---|
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 19 A |
Максимальная рабочая температура | + 150 C | Упаковка / блок | SEMITOP 2-8 |
Упаковка | Bulk | Минимальная рабочая температура | - 40 C |
Вид монтажа | SMD/SMT | Размер фабричной упаковки | 15 |
Популярные товары:
Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
---|---|---|---|---|---|---|
1818 | --- | Лампы и держатели | --- |
|
||
MAX223EWI+T | Maxim Integrated Products | ИС, интерфейс RS-232 5V MultiCh RS-232 Driver/Receiver | 5429838.pdf |
|
||
BQ24315DSGR | --- | Схемы управления питанием | --- |
|
||
NBC12439AFNG | --- | RF Semiconductors | --- |
|
||
SSF-LXH103LYD-UC | --- | Светодиодная индикация | --- |
|