STGIPN3H60A

STGIPN3H60A
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: STGIPN3H60A
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) SLLIMM nano IPM 3A 600V 3-Phase IGBT
Производитель: STMicroelectronics
Спецификация: 4791441.pdf
Детальное описание компонента STGIPN3H60A
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.6 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 3 A Рассеяние мощности 8 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок NDIP-26L
Упаковка Tube Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа Through Hole

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
24LC02B-E/P 24LC02B-E/P --- Микросхемы памяти ---
AT27BV1024-90VC AT27BV1024-90VC --- Микросхемы памяти ---
NCP1203D60R2 NCP1203D60R2 --- Схемы управления питанием ---
LCMXO2-2000HE-4MG132I LCMXO2-2000HE-4MG132I --- Программируемые логические интегральные схемы ---
MAX19997 MAX19997 --- RF Semiconductors ---