IGW40N60H3

IGW40N60H3
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: IGW40N60H3
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 40A 306W
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента IGW40N60H3
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.95 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V Непрерывный коллекторный ток при 25 C 40 A
Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA Рассеяние мощности 306 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок TO-247
Упаковка Tube Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа Through Hole Другие названия товара № IGW40N60H3FKSA1 IGW40N60H3FKSA1, IGW40N60H3XK SP000769926,

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
THS4215DGN THS4215DGN Texas Instruments Быстродействующие операционные усилители Super-Fast Ultr-Lo- Distortion Hi-Speed ---
MAX3085ECSA+T MAX3085ECSA+T Maxim Integrated Products ИС интерфейса RS-422/RS-485 Fail-Safe 10Mbps RS-485/RS-422 Tcvr 5832216.pdf
HEC4013BT,112 HEC4013BT,112 NXP Semiconductors Триггеры DUAL D-TYPE 6654387.pdf
MAX16904RAUE33/V+ MAX16904RAUE33/V+ --- Схемы управления питанием ---
LFE3-150EA-9FN672I LFE3-150EA-9FN672I --- Программируемые логические интегральные схемы ---