IKW30N60H3

IKW30N60H3
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: IKW30N60H3
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 30A 187W
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента IKW30N60H3
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.95 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V Непрерывный коллекторный ток при 25 C 30 A
Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA Рассеяние мощности 187 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок TO-247
Упаковка Tube Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 240
Другие названия товара № IKW30N60H3FKSA1 IKW30N60H3FKSA1, IKW30N60H3XK SP000703042,

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
Si4735-C-EVB Si4735-C-EVB Silicon Labs Радиочастотные средства разработки Evaluation Board 895921.pdf
AP-SDM002GEPANS-B AP-SDM002GEPANS-B Apacer Твердотельные накопители (SSD) SDM2 7P/90D SATA DISK MOD SLC 2GB ST 1829712.pdf
MC74AC20M MC74AC20M ON Semiconductor Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) 2-6V Dual 4-Input ---
SN74GTLPH306PW SN74GTLPH306PW Texas Instruments Трансляция - уровни напряжения 8-Bit LVTTL-to-GTLP Bus Transceiver 5269892.pdf
CAT25020VI-G CAT25020VI-G --- Микросхемы памяти ---