IKW30N60H3

IKW30N60H3
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: IKW30N60H3
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 30A 187W
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента IKW30N60H3
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.95 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V Непрерывный коллекторный ток при 25 C 30 A
Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA Рассеяние мощности 187 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок TO-247
Упаковка Tube Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 240
Другие названия товара № IKW30N60H3FKSA1 IKW30N60H3FKSA1, IKW30N60H3XK SP000703042,

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
KRN-K2XX-SAM3SX-P-P1-PDLN KRN-K2XX-SAM3SX-P-P1-PDLN Micrium Программное обеспечение для разработки uC/OS-II on Atmel AT91SAM3S PLL 9256011.pdf
SN74HC151PW SN74HC151PW Texas Instruments Кодеры, декодеры, мультиплексоры и демультиплексоры 8 to 1-Line Data Selector/Multiplexer 2612409.pdf
MAX6441KACHSD7+T MAX6441KACHSD7+T --- Схемы управления питанием ---
TIBPAL20L8-25CFN TIBPAL20L8-25CFN --- Программируемые логические интегральные схемы ---
521-9325F 521-9325F --- Светодиодная индикация ---