IKW30N60H3

IKW30N60H3
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: IKW30N60H3
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 30A 187W
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента IKW30N60H3
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.95 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V Непрерывный коллекторный ток при 25 C 30 A
Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA Рассеяние мощности 187 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок TO-247
Упаковка Tube Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 240
Другие названия товара № IKW30N60H3FKSA1 IKW30N60H3FKSA1, IKW30N60H3XK SP000703042,

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
GUI-DRVR-1611XX-X-P1-PDLN GUI-DRVR-1611XX-X-P1-PDLN Micrium Программное обеспечение для разработки uC/GUI Driver GUIDRV_1611 PLL 9273381.pdf
K2400F23 K2400F23 Littelfuse Сидаки 240V 209610.pdf
MAX9928FABT+T MAX9928FABT+T --- Микросхемы усилителей ---
CD4541BCN CD4541BCN Fairchild Semiconductor Таймеры и сопутствующая продукция Programmable Timer 6861458.pdf
MAX5889EVKIT# MAX5889EVKIT# Maxim Integrated Products ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) ---