IHW20N120R3

IHW20N120R3
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: IHW20N120R3
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Body
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента IHW20N120R3
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.48 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер 6.4 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 40 A Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA
Рассеяние мощности 310 W Максимальная рабочая температура + 175 C
Упаковка / блок TO247-3 Упаковка Tube
Минимальная рабочая температура - 40 C Вид монтажа Through Hole
Другие названия товара № IHW20N120R3FKSA1 IHW20N120R3FKSA1, IHW20N120R3XK SP000437702,

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
LCM-S02004DSF42225 LCM-S02004DSF42225 Lumex Модули сивольных ЖК-дисплеев и комплектующие 20x4 Char LCD 4.75mm Gry Trnf Wht LED B/L 5355028.pdf
CS8900A-IQR CS8900A-IQR Cirrus Logic ИС, Ethernet IC 10Mbps Ethernet Controller 5V 6930989.pdf
STK11C68-SF45 STK11C68-SF45 --- Микросхемы памяти ---
SN74LVTH2952DWE4 SN74LVTH2952DWE4 --- Логические микросхемы ---
K3GN-PDT2 24VDC K3GN-PDT2 24VDC --- Панельные измерительные приборы ---