IHW20N120R3

IHW20N120R3
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: IHW20N120R3
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IH SeriesRev Conduct IGBT Monolithic Body
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента IHW20N120R3
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.48 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер 6.4 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 40 A Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA
Рассеяние мощности 310 W Максимальная рабочая температура + 175 C
Упаковка / блок TO247-3 Упаковка Tube
Минимальная рабочая температура - 40 C Вид монтажа Through Hole
Другие названия товара № IHW20N120R3FKSA1 IHW20N120R3FKSA1, IHW20N120R3XK SP000437702,

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
FF300R12KT3 FF300R12KT3 Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 300A DUAL ---
SP232ACP-L SP232ACP-L Exar ИС, интерфейс RS-232 RS232 ESD 2KV temp 0C to 70C 5266403.pdf5266414.pdf
dsPIC33EP128MC204-H/PT dsPIC33EP128MC204-H/PT Microchip Technology Обработчики и контроллеры цифровых сигналов (DSP, DSC) 128KB FL 16KB RAM 60MHz 44Pin 5934762.pdf
SB-0625-0750-1C SB-0625-0750-1C --- Гибкие осветительные полосы ---
MLBAWT-A1-R250-000WDV MLBAWT-A1-R250-000WDV --- Светодиоды высокой мощности ---