IKW20N60H3

IKW20N60H3
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: IKW20N60H3
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V 20A 170W
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента IKW20N60H3
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.95 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V Непрерывный коллекторный ток при 25 C 20 A
Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA Рассеяние мощности 170 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок TO-247
Упаковка Tube Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 240
Другие названия товара № IKW20N60H3FKSA1 IKW20N60H3FKSA1, IKW20N60H3XK SP000702556,

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MA180023 MA180023 Microchip Technology Панели и адаптеры PIC18F46J11 PIM ---
FJZ594JTF FJZ594JTF Fairchild Semiconductor JFET Si N-Ch Junction FET ---
THS4503IDGKR THS4503IDGKR Texas Instruments Специальные усилители Hi-Sp Fully-Diff Amp 2298984.pdf
IXDN509D1 IXDN509D1 --- Схемы управления питанием ---
180-026-103L011 180-026-103L011 --- Субминиатюрные соединители ---