VII130-06P1

VII130-06P1
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: VII130-06P1
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 130 Amps 600V
Производитель: Ixys
Спецификация:
Детальное описание компонента VII130-06P1
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Dual
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V Непрерывный коллекторный ток при 25 C 121 A
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок ECO-PAC 2
Упаковка Bulk Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Минимальная рабочая температура - 40 C Вид монтажа Through Hole
Размер фабричной упаковки 25

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
FJN4302RTA FJN4302RTA Fairchild Semiconductor Transistors Switching (Resistor Biased) PNP Si Transistor Epitaxial 9491102.pdf
DS99R104TSQ/NOPB DS99R104TSQ/NOPB National Semiconductor (TI) ИС интерфейса LVDS 7768394.pdf
PEX8609-BA50BIG PEX8609-BA50BIG PLX Technology Периферийные ИС и компоненты (PCI) 8 lane 8 port Gen 2 PCIe switch w/DMA ---
51812-10400000AALF 51812-10400000AALF --- Прямоугольные разъемы ---
299-62K/AP-RC 299-62K/AP-RC --- Резисторы ---