MWI35-12A7T
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
|||
Название: | MWI35-12A7T | ||
Описание: | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 35 Amps 1200V | ||
Производитель: | Ixys | ||
Спецификация: | |||
Детальное описание компонента MWI35-12A7T | |||
Продукт | IGBT Silicon Modules | Конфигурация | Hex |
---|---|---|---|
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V | Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 62 A |
Максимальная рабочая температура | + 150 C | Упаковка / блок | E2-Pack |
Упаковка | Bulk | Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
Минимальная рабочая температура | - 40 C | Вид монтажа | Screw |
Размер фабричной упаковки | 6 |
Популярные товары:
Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
---|---|---|---|---|---|---|
WI.M900T | Linx Technologies | Радиочастотные модули TRANSMIT ONLY VERS. OF WI.232DTS MODULE | 2033219.pdf |
|
||
74V1G02STR | STMicroelectronics | Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) Single 2-Input NOR | 7986226.pdf7986236.pdf |
|
||
SN74LVC2G08IDCTRQ1 | Texas Instruments | Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) 10-BIT FET BUS SWITCH | 8204868.pdf |
|
||
SST39WF1601-90-4I-MBQE-T | --- | Микросхемы памяти | --- |
|
||
5692 | --- | Комплектующие для испытательного оборудования | --- |
|