FF800R17KF6C-B2

FF800R17KF6C-B2
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: FF800R17KF6C-B2
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1700V 800A DUAL
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента FF800R17KF6C-B2
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Dual
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1700 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.6 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 1300 A Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
Рассеяние мощности 6.25 W Максимальная рабочая температура + 125 C
Упаковка / блок IHM Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Минимальная рабочая температура - 40 C Вид монтажа Screw
Размер фабричной упаковки 2

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
93AA56-I/P 93AA56-I/P --- Микросхемы памяти ---
PI5A4599ATEX PI5A4599ATEX --- Коммутационные микросхемы ---
74HCT4051D,118 74HCT4051D,118 --- Коммутационные микросхемы ---
1785430 1785430 --- Фотоэлектрические (солнечные) разъемы ---
415-0002-012 415-0002-012 --- Интерконнекторы ---