FMC6G20US60
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | FMC6G20US60 | ||
| Описание: | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ||
| Производитель: | Fairchild Semiconductor | ||
| Спецификация: | |||
| Детальное описание компонента FMC6G20US60 | |||
| Продукт | IGBT Silicon Modules | Конфигурация | Hex |
|---|---|---|---|
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.2 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 20 A | Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
| Рассеяние мощности | 57 W | Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка / блок | PM-AA | Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Минимальная рабочая температура | - 40 C | Вид монтажа | Screw |
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NE68119 | NEC/CEL | РЧ транзисторы, биполярные, малого сигнала NPN High Frequency | 5369939.pdf |
|
|
 |
TMS320DM642AGDKA5 | Texas Instruments | Обработчики и контроллеры цифровых сигналов (DSP, DSC) Video/Imaging Fixed-Point DSP | 6023502.pdf |
|
|
|
|
AT24C32W-10SI-2.7 | --- | Микросхемы памяти | --- |
|
|
|
|
FM25V02-DG | --- | Микросхемы памяти | --- |
|
|
|
|
AS6C1616-70BINTR | --- | Микросхемы памяти | --- |
|