BSM100GAL120DN2

BSM100GAL120DN2
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BSM100GAL120DN2
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 100A CHOPPER
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента BSM100GAL120DN2
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Half Bridge Module
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.5 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 150 A Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
Рассеяние мощности 800 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок Half Bridge GAL 2 Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Вид монтажа Screw Размер фабричной упаковки 500

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MAX3222IDWRG4 MAX3222IDWRG4 Texas Instruments ИС, интерфейс RS-232 3-5.5V Multich RS- 232 Line Drvr/Rcvr 5500956.pdf
PT5814A PT5814A --- Схемы управления питанием ---
H-301CR-2-140 H-301CR-2-140 --- Светодиодная индикация ---
SSL-LX3044SRC/G SSL-LX3044SRC/G --- Светодиодная индикация ---
HLMP-CM15-S00DD HLMP-CM15-S00DD --- Светодиодная индикация ---