FP10R12W1T4

FP10R12W1T4
Кол-во:
Заказать
Под заказ 2-3 недели
Название: FP10R12W1T4
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 20A
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Цены: Розн.32,2$
Детальное описание компонента FP10R12W1T4
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Array 7
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V Непрерывный коллекторный ток при 25 C 20 A
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок EASY1B
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа Screw order_2_3week 10

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
FP40R12KT3G FP40R12KT3G Infineon Technologies Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 55A ---
THS6052ID THS6052ID Texas Instruments Быстродействующие операционные усилители 175-mA +/-12V ADSL CPE Line Driver 685760.pdf
TAS5112DFDR TAS5112DFDR Texas Instruments Усилители звука Dig Amp Stereo Power Stage 5620989.pdf
CD4033BEE4 CD4033BEE4 Texas Instruments ИС, счетчики CMOS Decade Counter/ Divider 9572145.pdf
SN74HC158PWRE4 SN74HC158PWRE4 Texas Instruments Кодеры, декодеры, мультиплексоры и демультиплексоры Quad 2-1-Line Data Selectors/Mltplxrs 3223588.pdf