BSM35GB120DLC
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
|||
Название: | BSM35GB120DLC | ||
Описание: | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 35A DUAL | ||
Производитель: | Infineon Technologies | ||
Спецификация: | |||
Детальное описание компонента BSM35GB120DLC | |||
Продукт | IGBT Silicon Modules | Конфигурация | Dual |
---|---|---|---|
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.6 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 75 A | Ток утечки затвор-эмиттер | 400 nA |
Рассеяние мощности | 310 W | Максимальная рабочая температура | + 125 C |
Упаковка / блок | 34MM | Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
Минимальная рабочая температура | - 40 C | Вид монтажа | Screw |
Размер фабричной упаковки | 10 |
Популярные товары:
Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
---|---|---|---|---|---|---|
MTMMC-C-N2.R2-SP | Multi-Tech Systems | Радиочастотные модули 800/1900 CDMA 1xRTT SprintModemModule-5V | 2134500.pdf |
|
||
TISP4145M3LM | Bourns | Сидаки | --- |
|
||
PUMD10,115 | NXP Semiconductors | Transistors Switching (Resistor Biased) TRNS DOUBL RET TAPE7 | 9483973.pdf |
|
||
LC4512V-75FN256C | --- | Программируемые логические интегральные схемы | --- |
|
||
MA69150JAN | --- | Конденсаторы | --- |
|