FZ1200R17KF6C-B2

FZ1200R17KF6C-B2
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: FZ1200R17KF6C-B2
Описание: Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1700V 1200A SINGLE
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента FZ1200R17KF6C-B2
Продукт IGBT Silicon Modules Конфигурация Dual Common Emitter Common Gate
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1700 V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.6 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 1950 A Ток утечки затвор-эмиттер 400 nA
Рассеяние мощности 9.6 KW Максимальная рабочая температура + 125 C
Упаковка / блок IHM Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Минимальная рабочая температура - 40 C Вид монтажа Screw
Размер фабричной упаковки 2

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
TLC5628CDWR TLC5628CDWR Texas Instruments ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) 8Bit 10us Octal DAC Serial In Pgrmable 2105158.pdf
HLCP-H100 HLCP-H100 --- Светодиодная индикация ---
SSL-LXA223HD SSL-LXA223HD --- Светодиодная индикация ---
SS-50-U-3.3-G S/C SS-50-U-3.3-G S/C --- Комплектующие для испытательного оборудования ---
V07E320PL1T V07E320PL1T --- Варисторы ---