FM2G200US60
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
|||
Название: | FM2G200US60 | ||
Описание: | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) | ||
Производитель: | Fairchild Semiconductor | ||
Спецификация: | |||
Детальное описание компонента FM2G200US60 | |||
Продукт | IGBT Silicon Modules | Конфигурация | Dual |
---|---|---|---|
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.2 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 200 A | Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
Рассеяние мощности | 830 W | Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Упаковка / блок | 7PM-BB | Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
Минимальная рабочая температура | - 40 C | Вид монтажа | Screw |
Популярные товары:
Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
---|---|---|---|---|---|---|
TLV5614ID | Texas Instruments | ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) 10bit Quad Serial | 991643.pdf |
|
||
MAX539BCSA+ | Maxim Integrated Products | ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) 12-Bit Precision DAC | 1027850.pdf1027905.pdf |
|
||
PC367MTJ000F | --- | Оптопары и оптроны | --- |
|
||
38541-0114 | --- | Прямоугольные разъемы | --- |
|
||
1796733 | --- | Клеммные колодки | --- |
|